製品リリース

ローム株式会社【ROHM】は、サーバーやACアダプターなど幅広い電源システムに最適な、650V耐圧GaN（ガリウムナイトライド：窒化ガリウム）HEMT「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」の量産を開始しました。　

新製品は、Delta Electronics, Inc. （以下、デルタ電子）の関連会社でGaNデバイスの開発等を手掛けるAncora Semiconductors Inc.（以下、アンコラ社）との共同開発によるもので、650V GaN HEMTのデバイス性能指数（R_DS（ON）×C_iss / R_DS（ON）×C_oss）において業界トップクラスを実現しました。　

これによりスイッチング損失を大きく削減できるため、電源システムの高効率化を可能にします。また、ESD保護素子を内蔵したことにより、静電破壊耐量が3.5kVまで向上するため、アプリケーションの高信頼化にも寄与します。さらに、GaN HEMTの特長を活かした高速スイッチング動作により、周辺部品の小型化にも貢献します。　

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